发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
摘要 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, umfassend das Bereitstellen einer ersten Schmelzen-Zone; das Schmelzen von Granulat aus Silizium und das Zuführen des geschmolzenen Granulats zur ersten Schmelzen-Zone; das Kristallisieren eines ersten Kristalls an der ersten Schmelzen-Zone; das Bereitstellen einer zweiten Schmelzen-Zone; das Schmelzen von Silizium vom ersten Kristall und das Zuführen des geschmolzenen Siliziums zur zweiten Schmelzen-Zone; und das Kristallisieren eines zweiten Kristalls an der zweiten Schmelzen-Zone, wobei der zweite Kristall ein Einkristall ist.
申请公布号 DE102012213506(A1) 申请公布日期 2014.02.06
申请号 DE201210213506 申请日期 2012.07.31
申请人 SILTRONIC AG 发明人 RAMING, GEORG;ALTMANNSHOFER, LUDWIG;KRAUTBAUER, RUPERT;STEIN, WALDEMAR
分类号 C30B13/16;C30B13/08;C30B13/34 主分类号 C30B13/16
代理机构 代理人
主权项
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