发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium |
摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, umfassend das Bereitstellen einer ersten Schmelzen-Zone; das Schmelzen von Granulat aus Silizium und das Zuführen des geschmolzenen Granulats zur ersten Schmelzen-Zone; das Kristallisieren eines ersten Kristalls an der ersten Schmelzen-Zone; das Bereitstellen einer zweiten Schmelzen-Zone; das Schmelzen von Silizium vom ersten Kristall und das Zuführen des geschmolzenen Siliziums zur zweiten Schmelzen-Zone; und das Kristallisieren eines zweiten Kristalls an der zweiten Schmelzen-Zone, wobei der zweite Kristall ein Einkristall ist. |
申请公布号 |
DE102012213506(A1) |
申请公布日期 |
2014.02.06 |
申请号 |
DE201210213506 |
申请日期 |
2012.07.31 |
申请人 |
SILTRONIC AG |
发明人 |
RAMING, GEORG;ALTMANNSHOFER, LUDWIG;KRAUTBAUER, RUPERT;STEIN, WALDEMAR |
分类号 |
C30B13/16;C30B13/08;C30B13/34 |
主分类号 |
C30B13/16 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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