| 发明名称 | 光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种光电子半导体芯片（10），所述光电子半导体芯片包括由半导体材料制成的半导体本体（1）、p型接触层（21a）和n型接触层（2）。半导体本体（1）具有设为用于产生辐射的有源层（1a）。半导体本体具有p型侧（1c）和n型侧（1b），在所述p型侧和n型侧之间设置有有源层（1a）。p型接触层（21a）设为用于电接触p型侧（1c）。n型接触层（2）设为用于电接触n型侧（1b）。n型接触层（2）包含TCO层（2a）和镜面层（2b），其中TCO层（2a）设置在半导体本体（1）的n型侧（1b）和镜面层（2b）之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103563104A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201280025428.0 | 申请日期 | 2012.04.26 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 马库斯·毛特;卡尔·恩格尔;塞巴斯蒂安·特格尔;罗伯特·沃尔特;约翰内斯·施托克 |
| 分类号 | H01L33/38(2006.01)I;H01L33/42(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片（10），包括由半导体材料制成的半导体本体（1）、p型接触层（21a）和n型接触层（2），其中‑所述半导体本体（1）具有设为用于产生辐射的有源层（1a），‑所述半导体本体（1）具有p型侧（1c）和n型侧（1b），在所述p型侧和所述n型侧之间设置有所述有源层，‑所述p型接触层（21a）设为用于电接触所述半导体本体（1）的所述p型侧（1c），‑所述n型接触层（2）设为用于电接触所述半导体本体（1）的所述n型侧（1b），以及‑所述n型接触层（2）包含TCO层（2a）和镜面层（2b），其中所述TCO层（2a）设置在所述半导体本体（1）的所述n型侧（1b）和所述镜面层（2b）之间。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||