通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性遮罩

摘要

本发明揭示切割具有数个IC的基板的方法。方法包括以下步骤：在半导体基板之上形成遮罩，遮罩包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后，经由图案化遮罩中的间隙蚀刻基板藉以单分(singulate)IC，并洗去水溶性材料层。

主权项

一种切割包含数个IC的基板的方法，所述方法包括以下步骤：在所述基板上形成遮罩，所述遮罩覆盖并保护所述IC，所述遮罩包含水溶性材料层，水溶性材料层接触所述IC的上表面；利用激光划线工艺藉以图案化所述遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩、暴露所述基板介于所述IC之间的区域；以及经由所述图案化遮罩中的所述间隙藉以等离子体蚀刻所述基板，以单分所述IC。