发明名称 |
太阳能电池用晶片的制造方法、太阳能电池单元的制造方法以及太阳能电池组件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供将以硅晶片为代表的半导体晶片的表面多孔化、可以制作转换效率高的太阳能电池的太阳能电池用晶片的制造方法。本发明的太阳能电池用晶片的制造方法特征在于,通过具有第1步:使低级醇与半导体晶片的至少一面接触,和第2步:在该第1步之后,使含金属离子的氢氟酸与所述半导体晶片的至少所述一面接触的处理将所述半导体晶片的至少所述一面多孔化;并具有第3步:在所述第2步之后,使所述半导体晶片的至少所述一面与碱溶液接触的步骤、与含有氢氟酸和硝酸的酸溶液接触的步骤或者对其实施氧化处理的步骤,以形成太阳能电池用晶片。 |
申请公布号 |
CN103563097A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201280023391.8 |
申请日期 |
2012.04.05 |
申请人 |
胜高股份有限公司 |
发明人 |
奥内茂 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
童春媛;梁谋 |
主权项 |
太阳能电池用晶片的制造方法,其特征在于,通过具有第1步:使低级醇与半导体晶片的至少一面接触,和第2步:在该第1步之后,使含金属离子的氢氟酸与所述半导体晶片的至少所述一面接触的处理,将所述半导体晶片的至少所述一面多孔化;并具有第3步:在所述第2步之后,使所述半导体晶片的至少所述一面与碱溶液接触的步骤、与含有氢氟酸和硝酸的酸溶液接触的步骤或者对其实施氧化处理的步骤,以形成太阳能电池用晶片。 |
地址 |
日本东京都 |