| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件，其特征是具备有：形成于平面状硅层上的第1柱状硅层、形成于所述第1柱状硅层的周围的栅极绝缘膜、形成于所述栅极绝缘膜的周围的第1栅极电极、连接于所述第1栅极电极的栅极配线、形成于所述第1柱状硅层的上部的第1的第1导电型扩散层、形成于所述第1柱状硅层的下部与所述平面状硅层的上部的第2的第1导电型扩散层、由形成于所述第1柱状硅层的上部侧壁与形成于所述第1栅极电极上部的绝缘膜及多晶硅的积层构造所构成的第1侧壁、以及形成于所述第1的第1导电型扩散层上与所述第1侧壁上的第1接点；所述第1接点与所述第1侧壁的多晶硅连接，所述第1侧壁的多晶硅的导电型为第1导电型。 | ||
| 申请公布号 | CN103563058A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201280024164.7 | 申请日期 | 2012.05.17 |
| 申请人 | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 | 发明人 | 舛冈富士雄;中村広记 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 于宝庆;刘春生 |
| 主权项 | 一种半导体器件，是具备有：形成于硅衬底上的平面状硅层；形成于所述平面状硅层上的第1柱状硅层；形成于所述第1柱状硅层的周围的栅极绝缘膜；形成于所述栅极绝缘膜的周围的第1栅极电极；连接于所述第1栅极电极的栅极配线；形成于所述第1柱状硅层的上部的第1的第1导电型扩散层；形成于所述第1柱状硅层的下部与所述平面状硅层的上部的第2的第1导电型扩散层；由形成于所述第1柱状硅层的上部侧壁与所述第1栅极电极上部的绝缘膜、及多晶硅的积层构造所构成的第1侧壁；以及形成于所述第1的第1导电型扩散层上与所述第1侧壁上的第1接点；所述第1接点与所述第1侧壁的多晶硅连接，所述第1侧壁的多晶硅的导电型为第1导电型。 | ||
| 地址 | 新加坡柏龄大厦 | ||