TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板的制作方法，包括：在基板上沉积第一金属膜层；对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属。本发明还提供了一种包括玻璃基板和第一绝缘层的TFT阵列基板，还包括成形于所述玻璃基板上的挡光金属，所述挡光金属通过对沉积在所述玻璃基板上的第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶的方法得到。本发明所提供的一种TFT阵列基板的制作方法，通过在基板上成形挡光金属实现对TFT开关器件的保护，使其不受强光影响，提高TFT开关器件的稳定性；并且通过电容的并联来减小存储电容的面积，从而实现增大相应像素的开口率的目的。

主权项

一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上沉积第一金属膜层；对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属；对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，成形第一存储电容的下电极；在包含有所述挡光金属和第一存储电容的下电极的基板上沉积第二金属膜层，对第二金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到第一存储电容的上电极；在所述第一存储电容的上电极上方沉积一层半导体层，并在该半导体层上方沉积一层第二绝缘层，在第二绝缘层上方沉积一层第三金属膜层，对第三金属膜层、半导体层和第二绝缘层进行涂胶曝光显影的制程，再进行去胶的步骤；然后沉积一层保护层，采用半曝光对该保护层进行涂胶曝光显影的制程，在保护层上蚀刻出两个通孔，在蚀刻了通孔的保护层上沉积一层ITO膜，成形第二存储电容的上电极和像素ITO电极；ITO膜通过一通孔与栅电极的漏极金属连接，成形像素电极，ITO膜通过另一通孔与构成第一存储电容下电极的金属连接，成形第二存储电容的上电极。