发明名称 | 半导体单元及使用该单元的半导体器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种包括执行均匀的并联动作的芯片的半导体单元、以及使用该半导体单元来制成的低热阻、低成本、高可靠性的半导体器件。将使用作为宽带隙衬底的SiC衬底来形成的相同种类的多个小半导体芯片(SiC-Di芯片(2))夹在2个导电板(公共铜板(1和8))之间并进行并联连接,从而形成半导体单元(100)。由此,能提供半导体芯片(SiC-Di芯片(2))的并联动作均匀从而能防止因电流集中而导致发生损坏的、高可靠性的半导体单元(100)。 | ||
申请公布号 | CN103563075A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
申请号 | CN201280023833.9 | 申请日期 | 2012.05.31 |
申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 三柳俊之 |
分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
主权项 | 一种半导体单元,该半导体单元由大量用宽带隙半导体衬底形成的半导体芯片并联连接而成,其特征在于,所述半导体芯片按如下方式集成:将相同种类的各个所述半导体芯片的一个主面接合于第一公共导电板的第一主面,并将各个导电块接合于各个所述半导体芯片的另一主面;将第二公共导电板的第一主面接合于所述导电块,且将绝缘树脂封入到所述第一公共导电板的第一主面与所述第二公共导电板的第一主面之间,并使所述第一公共导电板的第二主面和所述第二公共导电板的第二主面露出。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |