优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法

摘要

本发明涉及一种优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法。常规的超结VDMOS的结构中本征地寄生着双极型晶体管NPN结构和体二极管结构，为避免该寄生NPN晶体管开启，必须减小流过P柱或体二极管上部的反向恢复电流，降低寄生NPN管基极电阻RB的两端的压降使其无法开启。本发明包括P柱及位于P柱顶部的Pbody区，其特征在于：所述P柱上部的侧壁设置有氧化层。本发明的P柱侧壁具有二氧化硅氧化层，避免了寄生的双极型NPN晶体管的开启引起的器件失效；本发明兼容超结的深槽刻蚀与深槽外延工艺，在提升体二极管反向恢复能力的同时没有增加工艺制造成本。

主权项

一种优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS，包括P柱（3）及位于P柱（3）顶部的Pbody区（4），其特征在于：所述P柱（3）上部的侧壁设置有氧化层（10）。