栅极堆叠结构及其制作方法

摘要

一种栅极堆叠结构及其制作方法。所述栅极堆叠结构形成于半导体衬底上，所述半导体衬底上还包含有对称的间隙壁结构，包括：所述间隙壁结构间形成有依次位于半导体衬底上的高K栅介电层与第一功函数层，所述高K栅介电层与间隙壁结构垂直侧壁相接触；所述第一功函数层上还形成有金属栅电极，所述金属栅电极的顶部与间隙壁结构的顶部平齐。本发明的栅极堆叠结构避免了在金属栅电极中出现空隙的问题，同时还减小了栅极寄生电容。

主权项

一种栅极堆叠结构，形成于半导体衬底上，其特征在于，所述半导体衬底上还包含有对称的间隙壁结构，所述间隙壁结构间形成有依次位于半导体衬底上的高K栅介电层与第一功函数层，所述高K栅介电层位于所述间隙壁结构的垂直侧壁底部区域；所述第一功函数层与高K栅介电层的边缘相对其中间区域凸起，且所述第一功函数层与高K栅介电层的边缘设置于所述间隙壁结构的垂直侧壁上，所述间隙壁结构与半导体衬底相接触，所述间隙壁结构具有间隙壁以及位于所述间隙壁侧壁和底部的衬垫层，所述衬垫层呈“L”型，所述间隙壁结构的垂直侧壁为“L”型衬垫层的垂直部分；所述第一功函数层上还形成有金属栅电极，所述金属栅电极的顶部与间隙壁结构的顶部平齐。