低翘曲度的半导体衬底及其制备方法

摘要

本发明提供一种低翘曲度的半导体衬底及其制备方法，所述方法包括如下步骤：提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一绝缘层，所述第二表面上设置有第二绝缘层，所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；以器件层及第一绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；在所述第二绝缘层表面外延形成一保护层，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。本发明的优点在于，在衬底背面的绝缘层表面设置保护层，所述保护层能够防止绝缘层被腐蚀，从而能有效地降低晶片的翘曲度，同时也可以根据绝缘层及保护层的厚度调整晶片的翘曲度。

主权项

一种低翘曲度的半导体衬底，包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有相对的第一表面和第二表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述支撑衬底的第一表面；以及器件层，所述器件层设置于所述第一绝缘层表面；其特征在于，所述半导体衬底进一步包括第二绝缘层和保护层，所述第二绝缘层设置于所述支撑衬底的第二表面，所述保护层设置在所述第二绝缘层的表面，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。