具有外延源区和漏区的金属栅晶体管

摘要

本发明公开一种具有外延源区和漏区的金属栅晶体管。描述了形成于重掺杂的衬底上的MOS晶体管。在低温处理中使用金属栅以防止衬底的掺杂扩散到晶体管的沟道区。

主权项

一种PMOS晶体管，包括：单晶硅衬底，包括重掺杂的上区域；未掺杂或轻掺杂的单晶硅沟道区，直接设置在所述单晶硅衬底的最上表面上并具有顶表面；源区和漏区对，每个源区和漏区包括直接设置在所述单晶硅衬底的最上表面上、与所述未掺杂或轻掺杂的单晶硅沟道区直接相邻且从所述单晶硅衬底的最上表面直接向上延伸超出所述未掺杂或轻掺杂的单晶硅沟道区的顶表面的外延硅锗第一部分，并且每个源区和漏区还包括仅部分地延伸到所述单晶硅衬底中的第二部分，所述第二部分直接在所述第一部分下方；以及金属栅，与所述未掺杂或轻掺杂的单晶硅沟道区绝缘、被设置超过所述未掺杂或轻掺杂的单晶硅沟道区并位于其上方、且被设置超过所述源区和漏区中每一个的所述第一部分的至少部分并位于其上方，其中所述源区和漏区中每一个的所述第一部分包括在所述金属栅之下的所述外延硅锗和所述未掺杂或轻掺杂的单晶硅沟道区之间的成角度面轮廓，并且其中所述源区和漏区中每一个的所述第二部分仅包括一个圆化扩散角轮廓，所述一个圆化扩散角轮廓低于所述金属栅但并不在所述金属栅下方。