| 发明名称 | 双面抛光半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 双面抛光半导体晶片的方法，其包括在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘与覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间对位于载体盘的切口中的半导体晶片进行同步双面抛光，其中在抛光期间位于载体盘中的半导体晶片的一部分面积暂时地突出于由上抛光盘和下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫均匀分布有宽度和深度为0.5至2mm的沟槽，从而在抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于上抛光盘上的第一抛光垫具有大于20mm×20mm的区块，而位于下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20mm×20mm的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的、平均尺寸为0.1至1.0μm的磨料，其中在抛光期间送入pH值能够通过相应地添加碱性组分而在11至13.5的范围内改变的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入pH为大于或等于13的抛光剂溶液。 | ||
| 申请公布号 | CN102205520B | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201110084878.4 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳;T·布施哈尔特;R·柯普尔特 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 双面抛光半导体晶片的方法，其包括在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘与覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间对位于载体盘的切口中的半导体晶片进行同步双面抛光，其中在抛光期间位于载体盘中的半导体晶片的一部分面积暂时地突出于由上抛光盘和下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫均匀分布有宽度和深度为0.5至2mm的沟槽，从而在抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于上抛光盘上的第一抛光垫具有大于20mm×20mm的区块，而位于下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20mm×20mm的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的、平均尺寸为0.1至1.0μm的磨料，其中在抛光期间送入pH值能够通过相应地添加碱性组分而在11至13.5的范围内改变的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入pH为大于或等于13的抛光剂溶液。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||