发明名称 |
一种气相沉积成膜设备的清洗方法 |
摘要 |
本发明提供一种气相沉积成膜设备的清洗方法,通过改进非晶碳沉积制程中的清洗工艺,在清洗工艺制程里的保护膜沉积步骤之后,增加一步氮等离子体处理,即先生长一层无氮非晶碳膜,避免非晶碳沉积制程中的硅片背面铝沾污问题,然后对这层无氮非晶碳膜进行氮等离子体处理,改善其表面特性,保证销顶面与硅片背面有较高的摩擦系数,避免滑片问题。 |
申请公布号 |
CN103556127A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201310565735.4 |
申请日期 |
2013.11.13 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
雷通;桑宁波;贺忻 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种气相沉积成膜设备的清洗方法,其特征在于,包括:在等离子条件下采用含氟的清洗气体对气相沉积成膜设备的腔体进行清洗;在所述腔体内沉积一层无氮的保护膜;对所述无氮的保护膜进行氮等离子体处理。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |