发明名称 接近检测器设备
摘要 本实用新型公开了一种接近检测器设备,可以包括:第一互连层,包括第一电介质层以及由其承载的多个第一导电迹线;IC层,在所述第一互连层之上并且具有图像传感器IC以及与所述图像传感器IC横向间隔的光源IC。所述接近检测器可以包括第二互连层,其在所述IC层之上并且具有第二电介质层以及由其承载的多个第二导电迹线。所述第二互连层可以具有在其中的分别与所述图像传感器IC和所述光源IC对准的第一开口和第二开口。所述图像传感器IC和所述光源IC中的每个可以被耦合到所述第一导电迹线和第二导电迹线。所述接近检测器可以包括透镜组件,其在所述第二互连层之上并且包括分别与所述第一开口和第二开口对准的第一透镜和第二透镜。
申请公布号 CN203422471U 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201320232334.2 申请日期 2013.04.28
申请人 意法半导体制造(深圳)有限公司 发明人 栾竟恩
分类号 G01S7/481(2006.01)I;G01S17/02(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I 主分类号 G01S7/481(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华
主权项 一种接近检测器设备,其特征在于,包括:第一互连层,包括第一电介质层以及由其承载的多个第一导电迹线;集成电路层,在所述第一互连层之上并且包括图像传感器集成电路,以及光源集成电路,与所述图像传感器集成电路横向间隔;第二互连层,在所述集成电路层之上并且包括第二电介质层以及由其承载的多个第二导电迹线,所述第二互连层具有在其中的分别与所述图像传感器集成电路和所述光源集成电路对准的第一开口和第二开口;所述图像传感器集成电路和所述光源集成电路中的每个被耦合到所述多个第一导电迹线和第二导电迹线,以及透镜组件,在所述第二互连层之上并且包括分别与所述第一开口和所述第二开口对准的第一透镜和第二透镜。
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