发明名称 |
一种利用折射率来监测薄膜介电常数的方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种利用折射率来监测薄膜介电常数稳定性的方法。本发明提出一种利用折射率来监测薄膜介电常数稳定性的方法,通过实验得出折射率与介电常数的函数关系,在监测其他同类介电质薄膜时只要测量出折射率,根据上述函数关系即可得出要检测的介电质薄膜的介电常数,而折射率作为介电质薄膜的必要检测项目,从而可以省去测量介电常数的步骤,从而缩短了日常测机的周期和机台的运行时间。 |
申请公布号 |
CN102426298B |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201110163842.5 |
申请日期 |
2011.06.17 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
许隽;王科;侯多源;顾梅梅 |
分类号 |
G01R27/26(2006.01)I |
主分类号 |
G01R27/26(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种利用折射率来监测薄膜介电常数的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:以沉积在一衬底上的原始薄膜为样本薄膜,利用多组不同的反应气体的原位等离子体处理所述样本薄膜,以改变所述样本薄膜的介电常数,并获得多组介电常数相异的试验薄膜;步骤S2:测量所述多组介电常数相异的试验薄膜各自的折射率及介电常数;步骤S3:依据所述多组介电常数相异的试验薄膜各自的折射率及介电常数,以确定该类薄膜的折射率与介电常数之间的函数关系;步骤S4:进一步检测其他衬底上所沉积的原始薄膜的折射率,依据所述折射率与介电常数之间的函数关系算出其他衬底上所沉积的原始薄膜的介电常数值,依此判断在其他衬底上沉积原始薄膜的制备过程中,所制备的原始薄膜的介电常数值是否符合要求。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |