集成电路装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种集成电路装置及其制造方法，该集成电路装置包含一下晶圆、设置于该下晶圆上的至少一堆叠晶圆、以及至少一导电插塞，其贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆，其中该下晶圆及该堆叠晶圆以一中间黏着层予以接合，且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫。该集成电路装置的制造方法，包含形成一下晶圆、形成至少一堆叠晶圆、使用一中间黏着层接合该至少一堆叠晶圆至该下晶圆上、以及形成至少一导电插塞，其贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆，其中没有在该下晶圆及该堆叠晶圆之间形成焊垫。本发明揭示的集成电路装置的制造方法无需在下晶圆及堆叠晶圆之间形成焊垫，解决传统技术的焊垫制造相当复杂且昂贵问题。

主权项

一种集成电路装置，包含：一下晶圆；包括：一第一有源元件；一第一浅沟槽隔离结构，邻近该第一有源元件设置；第一介电区块，贯穿该第一浅沟槽隔离结构；第一介电层，覆盖该第一有源元件、该第一浅沟槽隔离结构和该第一介电区块；第一连接结构，设置于该第一介电区块和该第一浅沟槽隔离结构上；以及至少一堆叠晶圆，设置于该下晶圆上，并包括：一第二有源元件；一第二浅沟槽隔离结构，邻近该第二有源元件设置；一第二介电区块，贯穿该第二浅沟槽隔离结构；一第二介电层，覆盖该第二有源元件、该第二浅沟槽隔离结构和该第二介电区块；第二连接结构，设置于该第二介电区块和该第二浅沟槽隔离结构上；其中该下晶圆及该堆叠晶圆以一中间黏着层予以接合，且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫；以及至少一导电插塞，以直线方式贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆。