发明名称 |
提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法,包括:步骤1、在基板(10)上形成非晶硅层(30);步骤2、将非晶硅层(30)划分为数个区域,测量非晶硅层(30)各区域的膜厚;步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较,对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域(42),并进行标示;步骤4、对膜厚偏厚区域(42)的非晶硅层(30)喷洒蚀刻液进行清洗,以蚀刻掉膜厚偏厚区域(42)处的部分非晶硅层(30),同时对其它区域喷洒纯水进行清洗,进而使得非晶硅层(30’)各区域的膜厚趋于一致;步骤5、对清洗后的非晶硅层(30’)进行激光退火处理,以使非晶硅层(30’)结晶形成多晶硅层(60)。 |
申请公布号 |
CN103560076A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201310561925.9 |
申请日期 |
2013.11.12 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
张翔 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在基板(10)上形成非晶硅层(30);步骤2、将非晶硅层(30)划分为数个区域,测量非晶硅层(30)各区域的膜厚;步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较,对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域(42),并进行标示;步骤4、对膜厚偏厚区域(42)的非晶硅层(30)喷洒蚀刻液进行清洗,以蚀刻掉膜厚偏厚区域(42)处的部分非晶硅层(30),同时对其它区域喷洒纯水进行清洗,进而使得非晶硅层(30’)各区域的膜厚趋于一致;步骤5、对清洗后的非晶硅层(30’)进行激光退火处理,以使非晶硅层(30’)结晶形成多晶硅层(60)。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |