静电防护装置

摘要

本实用新型提供了一种静电防护装置，包括电性耦接于一待测走线的半导体结构，其半导体结构包含闸极电极层、闸极绝缘层、半导体电极层以及源/汲极电极层。闸极电极层形成于基板上，其包含一渐缩端。闸极绝缘层形成于闸极电极层上，其包含第一转角及第二转角。半导体电极层形成于闸极绝缘层上。源/汲极电极层形成于半导体电极层上。由第一渐缩端分别与第一转角及第二转角形成第一静电放电路径及第二静电放电路径。

主权项

一种静电防护装置，其特征在于，包括电性耦接于一待测走线的半导体结构，所述半导体结构包含：一闸极电极层，形成在一基板上，所述闸极电极层具有一形状为向该基板的反方向渐缩的横切面，从而在所述基板的反方向上形成一第一渐缩端；一闸极绝缘层，包含一第一区以及一第二区，所述第一区沿着所述闸极电极层的外表面共形设置，而所述第二区形成于所述基板上，其中所述第一区具有一包含第一转角及第二转角的横切面；一半导体电极层，沿着所述闸极绝缘层的外表面共形设置；以及一源/汲极电极层，沿着所述半导体电极层的外表面共形设置；其中由所述第一渐缩端分别与所述第一转角及所述第二转角形成一第一静电放电路径及一第二静电放电路径。