| 发明名称 | 原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；（3）交联固化：将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103553616A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201310504623.8 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 裴兵兵;朱云洲;黄政仁;姚秀敏;袁明 |
| 分类号 | C04B35/524(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/524(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种制备原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料的方法，其特征在于，包括：（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；（3）交联固化：将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||