发明名称 一种硫醇基墨水制备Cu<sub>2</sub>ZnSn(S,Se)<sub>4</sub>太阳能电池吸收层薄膜的方法
摘要 一种制备Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池吸收层薄膜的方法,属于太阳能电池吸收层薄膜技术领域。包括如下步骤:(a)空气条件下稳定的前躯体溶液制备(b)采用旋涂法制备前躯体薄膜(c)干燥(d)旋涂多次、干燥(e)最后退火处理。本发明所提供的薄膜制备方法,不需要使用昂贵的原材料和设备,采用硫醇这种易挥发,低碳有机物作为溶剂,可以克服以往铜锌锡硫纳米晶墨水合成过程中碳,氧元素的引入。各工艺步骤的控制性好,有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜,其工艺简单,可重复性强,易实现大规模生产。
申请公布号 CN103560165A 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201310413807.3 申请日期 2013.09.12
申请人 北京工业大学 发明人 汪浩;宗恺;孙玉绣;王先明;邓思旭;吴春卉;刘晶冰;严辉
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 刘萍
主权项 一种硫醇基墨水制备Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池吸收层薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)稳定的前躯体墨水溶液制备:将分别含Cu、Zn、Sn、S源的化合物溶入硫醇溶剂中,室温下充分搅拌,得到黑色墨水溶液;其中Cu:(Zn+Sn):S摩尔比0.8:1:3,Zn:Sn摩尔比为1.2;b)前躯体薄膜制备:将镀Mo的钠钙玻璃作为衬底,采用步骤a)中所得溶液进行旋涂;c)干燥:将步骤b所制备的前躯体薄膜,在130‑230℃下干燥,然后再进行旋涂,干燥处理,反复操作,可制备出50~300nm厚度的Cu‑Zn‑Sn‑S预制膜;d)退火处理:将步骤c)干燥后的Cu‑Zn‑Sn‑S预制膜,进行硫化或/和硒化退火处理形成Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜。
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