一种源漏区超浅结的改进方法

摘要

本发明一种源漏区超浅结的改进方式解决了现有技术框架下，SD超浅结的形成由于没有注入垫层的存在，需要由多种工艺组合而成，例如使用PAI+High dose，Low energy注入，或者High dose，Low energy注入+Co implant，这些组合极大了增加了工艺的复杂性的问题。通过增加注入垫层，可以在基本不改变注入杂质分布的情况下，降低注入工艺在Si中的射程，从而可以得到比常规方法更浅的超前结。或者是在保持超浅结结深不便的情况下，增大注入的能量，从而在一定程度上缓解了工艺对于大剂量，低能量注入的需求。降低了SD注入的工艺难度。

主权项

一种源漏区超浅结的改进方法，在一硅基板上形成包括第一晶体管和第二晶体管的CMOS结构，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：将覆盖在硅基板、第一晶体管栅极和第二晶体管栅极上的屏蔽层全部清除；步骤b：在硅基板上淀积一垫层，且使垫层同时将第一晶体管栅极和第二晶体管栅极覆盖；步骤c：在垫层上旋涂光刻胶，并光刻去除覆盖在第二晶体管上的光刻胶；步骤d：进行第一离子注入，形成第二晶体管的SD超浅结，之后去除光刻胶；步骤e：在垫层上再次旋涂光刻胶，并光刻去除覆盖在第一晶体管上的光刻胶；步骤f：进行第二离子注入，形成第一晶体管的SD超浅结，之后去除光刻胶；其中，步骤b中依次淀积一无定型碳层和一二氧化硅层共同形成垫层，无定形碳层与二氧化硅层覆盖在硅基板上，并同时将第一晶体管栅极和第二晶体管栅极覆盖。