发明名称 |
一种用于flash存储数据的方法及装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种用于flash存储数据的方法,包括:获取应用层程序传递的目标存储数据的存储参数信息以及读取其他程序获取到的数据处理参数信息;根据获取到的所述目标存储数据中独立模块的最大值以及所述flash存储空间的烧写次数,计算flash存储空间的更新的偏移地址区间长度;计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域;将所述目标存储数据存储在相应的所述flash存储空间的存储地址区域。本发明实施例还公开了一种用于flash存储数据的装置。采用本发明,增加了软件对flash设备的使用周期,从而增加数码产品的使用寿命,减小了用户对产品的使用成本。 |
申请公布号 |
CN103559140A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201310522343.X |
申请日期 |
2013.10.29 |
申请人 |
深圳创维数字技术股份有限公司;深圳市创维软件有限公司 |
发明人 |
刘炳伟 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I;G06F3/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种用于flash存储数据的方法,其特征在于,所述方法包括:获取应用层程序传递的目标存储数据的存储参数信息以及读取其他程序获取到的数据处理参数信息,所述目标存储数据的存储参数信息包括所述目标存储数据的逻辑地址,所述数据处理参数信息包括所述目标存储数据中独立模块的最大值以及flash存储空间的烧写次数;根据读取到的所述目标存储数据中独立模块的最大值以及所述flash存储空间的烧写次数,计算flash存储空间的更新的偏移地址区间长度;根据获取到的所述应用层程序传递的所述目标存储数据的逻辑地址和计算得到的所述flash存储空间的更新的偏移地址区间长度,计算所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域;根据计算得到的所述目标存储数据在所述flash存储空间的存储地址区域,将所述目标存储数据存储在相应的所述flash存储空间的存储地址区域。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新南一道创维大厦A14楼 |