| 发明名称 | 薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板，所述方法包括：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。 | ||
| 申请公布号 | CN103560112A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201310562123.X | 申请日期 | 2013.11.12 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 李文辉;曾志远 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||