发明名称 |
气浮辊道式半导体器件热处理炉 |
摘要 |
本发明涉及一种气浮辊道式半导体器件热处理炉,该热处理炉中传输半导体器件的辊道由若干条水平排列、沿自身轴线往复转动的辊轴组成,至少一部分辊轴为空心辊轴,在空心辊轴上半导体器件经过的部位沿径向方向设置有若干通气孔,在空心辊轴的至少一端通过旋转接头与进气管连接,气体通过空心辊轴上的通气孔进入到半导体器件经过的炉膛部位。本发明从根本上保证炉内核心扩散区域的气氛和洁净度,从而提高了扩散效果和质量。 |
申请公布号 |
CN103557701A |
申请公布日期 |
2014.02.05 |
申请号 |
CN201310576842.7 |
申请日期 |
2013.11.18 |
申请人 |
北京金晟阳光科技有限公司;袁向东;许颖 |
发明人 |
袁向东;许颖;袁瑒 |
分类号 |
F27B9/30(2006.01)I;F27D5/00(2006.01)I |
主分类号 |
F27B9/30(2006.01)I |
代理机构 |
青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 |
代理人 |
马俊荣 |
主权项 |
一种气浮辊道式半导体器件热处理炉,其特征在于,在所述热处理炉中,传输半导体器件的辊道由若干条水平排列、沿自身轴线往复转动的辊轴组成,至少一部分辊轴为空心辊轴,在空心辊轴上半导体器件经过的部位沿径向方向设置有若干通气孔,在空心辊轴的至少一端通过旋转接头与进气管连接,气体通过空心辊轴上的通气孔进入到半导体器件经过的炉膛部位。 |
地址 |
100102 北京市朝阳区利泽中园望京科技园E座403B |