发明名称 气浮辊道式半导体器件热处理炉
摘要 本发明涉及一种气浮辊道式半导体器件热处理炉,该热处理炉中传输半导体器件的辊道由若干条水平排列、沿自身轴线往复转动的辊轴组成,至少一部分辊轴为空心辊轴,在空心辊轴上半导体器件经过的部位沿径向方向设置有若干通气孔,在空心辊轴的至少一端通过旋转接头与进气管连接,气体通过空心辊轴上的通气孔进入到半导体器件经过的炉膛部位。本发明从根本上保证炉内核心扩散区域的气氛和洁净度,从而提高了扩散效果和质量。
申请公布号 CN103557701A 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201310576842.7 申请日期 2013.11.18
申请人 北京金晟阳光科技有限公司;袁向东;许颖 发明人 袁向东;许颖;袁瑒
分类号 F27B9/30(2006.01)I;F27D5/00(2006.01)I 主分类号 F27B9/30(2006.01)I
代理机构 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人 马俊荣
主权项 一种气浮辊道式半导体器件热处理炉,其特征在于,在所述热处理炉中,传输半导体器件的辊道由若干条水平排列、沿自身轴线往复转动的辊轴组成,至少一部分辊轴为空心辊轴,在空心辊轴上半导体器件经过的部位沿径向方向设置有若干通气孔,在空心辊轴的至少一端通过旋转接头与进气管连接,气体通过空心辊轴上的通气孔进入到半导体器件经过的炉膛部位。
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