相变存储结构及制作方法

摘要

本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。

主权项

一种相变存储器的制作方法，该制作方法包含有：提供一基底，在所述基底上形成一相变材料层；在所述相变材料层上形成一电极层；非等向性蚀刻所述相变材料层及电极层，形成倒梯形沟槽用于隔离出相变存储单元；涂布填充满所述沟槽并包覆相变材料层及电极层的第一光阻层；回刻使刻蚀后的光阻上表面高于所述相变材料层等于或低于所述电极层上表面；沉积形成一上表面高于所述电极层的第一电介质层；涂布第二光阻层并图形化形成宽度小于倒梯形沟槽最大宽度的第二沟槽；以所述第二沟槽为窗口，刻蚀所述第一电介质层后去除位于所述第一电介质层下方的第一光阻层；形成位于电极层上的悬臂结构；形成包覆所述第一电介质层和倒梯形沟槽的第二电介质层，从而形成中空结构；形成第三电介质层用于封盖各中空结构，形成空气间隔。