| 发明名称 | 一种提高芯片周期耐久性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高芯片周期耐久性的方法，包括以下步骤：对Block预编程；判断Block各区域是否均匀；根据Block不同的状况，使用不同的擦除方法进行擦除；刷新编程。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过采用首先检查Block内存储器单元的情况，自适应调节擦除块大小的方法，提高芯片周期耐久性。 | ||
| 申请公布号 | CN103559911A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201310477570.5 | 申请日期 | 2013.10.13 |
| 申请人 | 广东博观科技有限公司 | 发明人 | 张登军 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种提高芯片周期耐久性的方法，该方法包括以下步骤：a）对Block预编程；b）判断Block各区域是否均匀；c）根据Block各区域的均匀情况，使用不同的擦除方法进行擦除；d）刷新编程。 | ||
| 地址 | 519080 广东省珠海市唐家湾镇哈工大路1号博士楼A101 | ||