用于制造光电子半导体器件的方法和这样的半导体器件

摘要

说明了一种用于制造半导体器件的方法，其中提供载体衬底（2），该载体衬底具有安装区域（2a）和第一凹部（2b），该第一凹部构造在载体衬底（2）的安装区域（2a）中。在半导体芯片（1）的安装之后，将电绝缘层（4）施加在载体衬底（2）上，使得电绝缘层（4）将载体衬底（2）的第一凹部（2b）完全填满。在电绝缘层（4）中构造第二凹部（4a）。接着将导电层（5）施加在电绝缘层（4）上，使得导电层（5）填满第二凹部（4a）作为穿通接触部。此外，还说明了一种这样制造的半导体器件。

主权项

用于制造光电子半导体器件的方法，包括下面的方法步骤：A1）提供至少一个半导体芯片（1），其具有适于产生辐射的有源层（1a），A2）提供载体衬底（2），该载体衬底具有至少一个用于半导体芯片（1）的安装区域（2a）和至少一个第一凹部（2b），该第一凹部构造在载体衬底（2）的安装区域（2a）中，B）将半导体芯片（1）安装在载体衬底（2）的安装区域（2a）上，C）将电绝缘层（4）施加在载体衬底（2）的背离半导体芯片（1）的侧上，使得电绝缘层（4）将载体衬底（2）的第一凹部（2b）完全填满，D）在电绝缘层（4）中构造至少一个第二凹部（4a），其中该第二凹部（4a）构造在载体衬底（2）的第一凹部（2b）的区域中，以及E）将导电层（5）施加在电绝缘层（4）的背离载体衬底（2）的侧上，使得导电层（5）填满电绝缘层（4）的第二凹部（4a）作为贯通接触部（5b）。