一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，包括如下步骤，采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。本发明制备方法，操作简单，成本低廉，所得GaN基低色温高显色白光LED可以满足对色温和演色性要求较高的领域。

主权项

一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。