发明名称 一种低功耗高灵敏度的碳纳米管红外传感器
摘要 本发明涉及一种低功耗高灵敏度的碳纳米管红外传感器,其为基于碳纳米管(carbon nano-tube,CNT)与标准硅工艺相结合的微悬臂梁红外探测传感器,该传感器由标准硅工艺设计制造出两个有间距并悬空的微悬臂梁,然后通过介电泳现象,将纳米碳管成功的排列并且搭在相邻的两个微型悬臂梁上方。通过微悬臂梁对红外线反应后的形变带动柔软的纳米碳管的形变而触发其电阻的变化。本发明具有体积小、重量轻、易于量产、低成本、低功耗、高灵敏度等优点。本发明可以和标准的互补金属氧化物半导体(complementary matal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)读出电路进行单片集成,可以通过大量的阵列应用于红外成像。
申请公布号 CN103557944A 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201310506884.3 申请日期 2013.10.24
申请人 北京航空航天大学 发明人 袁珩;房建成
分类号 G01J5/22(2006.01)I 主分类号 G01J5/22(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 孟卜娟
主权项 一种低功耗高灵敏度的碳纳米管红外传感器,其特征在于:由电阻反应层(1)、微悬梁上层(2)、微悬梁下层(3)、基底连接层(4)、基底层(5)组成,电阻反应层(1)搭接在两个微悬梁下层(3)之间的狭缝处,微悬梁上层(2)附在微悬梁下层(3)的上面,微悬梁下层(3)大部分面积为悬空,两端附在基底连接层(4)上面,基底连接层(4)在基底层(5)上面,与微悬梁上层(2)相比,微悬梁下层(3)两端略长,中间部分与微悬梁上层(2)重合,并通过基底连接层(4)形成微悬梁结构,微悬梁下层(3)的根部没有被微悬梁上层(2)所覆盖的部分作为电极,用于整个结构的电阻测量,同时,微悬梁下层(3)的顶端没有被微悬梁上层(2)所覆盖的部分作为电阻反应层(1)的连接部。
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