| 发明名称 | 新的化合物半导体及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQz，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，0<x<1，0≤y<1，0≤m≤1，0≤a≤1，0≤n<9，0≤z≤4，0≤b≤3，0<n+z+b。 | ||
| 申请公布号 | CN103562127A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201280023369.3 | 申请日期 | 2012.05.11 |
| 申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 朴哲凞;金兑训;朴德熙;高京门 |
| 分类号 | C01B19/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;C01G51/00(2006.01)I;C01G30/00(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 李静;黄丽娟 |
| 主权项 | 一种化合物半导体，由下面化学式1表示：化学式1InxMyCo4‑m‑aAmSb12‑n‑z‑bXnQz其中，M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，0<x<1，0≤y<1，0≤m≤1，0≤a≤1，0≤n<9，0≤z≤4，0≤b≤3，0<n+z+b。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||