用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理

摘要

提供制造激光二极管结构的方法，其中利用光刻过程来形成轴向延伸波导结构的至少一部分，使得在光刻过程之后，图案化光刻胶残留物还留在该轴向延伸波导结构上。通过对图案化的光刻胶残留物进行附加光刻过程，在图案化的光刻胶残留物中形成图案化的隔离开口和剥离光刻胶部分，使得在附加光刻过程之后，该剥离光刻胶部分仍然留在该轴向延伸波导结构上。在图案化的隔离开口和该剥离光刻胶部分上形成绝缘层。

主权项

一种制造激光二极管结构的方法，所述激光二极管结构包括半导体衬底、轴向延伸波导结构以及位于所述半导体衬底上的绝缘层，其中所述方法包括：利用光刻过程来形成所述轴向延伸波导结构的至少一部分，使得在所述光刻过程之后，图案化光刻胶残留物驻留在所述轴向延伸波导结构上；通过对所述图案化光刻胶残留物进行附加光刻过程，在所述图案化光刻胶残留物中形成图案化隔离开口和剥离光刻胶部分，使得在所述附加光刻过程之后，所述剥离光刻胶部分保持驻留在所述轴向延伸波导结构上；在所述图案化隔离开口和所述剥离光刻胶部分上形成绝缘层；对绝缘层和下层剥离光刻胶部分进行剥离过程以留下驻留在所述轴向延伸波导结构上的所述绝缘层的图案化隔离区。