发明名称 | 固态图像传感器的制造方法 | ||
摘要 | 本申请公开了固态图像传感器的制造方法,该制造方法用于制造在基板上具有像素的传感器,各像素包含光电转换器、电荷-电压转换器和用于形成用于将光电转换器中的电荷传送到电荷-电压转换器的沟道的栅极,该方法包括:将离子注入到基板的要形成光电转换器的目标区域内的步骤,其中,该步骤被执行N次,在步骤中的每一个中,离子沿相对于基板表面的法线具有倾斜角的方向被注入,注入离子的目标区域在各步骤中不同,并且,对于各步骤,在基板上形成对于每N个像素具有开口的掩模,多个开口沿表面和由法线和该方向确定的平面之间的交线的方向周期性布置。 | ||
申请公布号 | CN102244084B | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
申请号 | CN201110119054.6 | 申请日期 | 2011.05.10 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 渡边高典 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
主权项 | 一种具有在半导体基板上形成的多个像素的固态图像传感器的制造方法,各像素包含光电转换器、电荷‑电压转换器和栅极,所述栅极用于形成用于将在所述光电转换器中产生的电荷传送到所述电荷‑电压转换器的沟道,所述方法包括:N次离子注入步骤,在所述N次离子注入步骤中的每次离子注入步骤中,离子被注入到所述半导体基板的目标区域内,所述目标区域中的每一个是要形成一个光电转换器的区域,其中,N是2或更大的自然数,其中,在所述N次离子注入步骤中的每次离子注入步骤中,沿相对于所述半导体基板的表面的法线具有倾斜角的方向注入离子,其中由所述法线和具有所述倾斜角的方向确定的平面对于所述N次离子注入步骤是共同的,注入离子的目标区域在所述N次离子注入步骤中的每次离子注入步骤中不同,并且,对于所述N次离子注入步骤中的每次离子注入步骤,在半导体基板上形成掩模,所述掩模具有多个开口,每一开口被提供用于每N个像素,所述多个开口沿所述半导体基板的表面与所述平面之间的交线的方向周期性布置。 | ||
地址 | 日本东京 |