一种超结器件的结终端结构及其制造方法

摘要

本发明一种超结器件的结终端结构及其制造方法。超结器件的结终端结构通常采用多个与元胞区基本相同的多个P柱，对于结终端区域的有效电场分量从硅外延层体内的纵向电场逐渐过渡到表面的横向电场，因而传统的超结器件结终端结构不能很好地承受较高的击穿电压。本发明超结器件的结终端区设置数个间隔的P柱，每个P柱内通过设置不连续的二氧化硅隔离区将P柱分隔成多段P柱区。本发明超结器件的结终端结构能够更好地实现电势分布，减小了超结器件的结终端的面积，从而减小了超结器件的制作成本。

主权项

一种超结器件的结终端结构的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、利用外延工艺，在N+衬底上外延一层3~10μm的N型外延层（11）；步骤二、利用P柱掩膜板掩膜进行硼离子注入形成一层交替的厚度为2~10μm的P型N型外延层；步骤三、在P型N型外延层上淀积一层厚度为0.5~3μm的二氧化硅层（4），并利用P柱掩膜板掩膜对二氧化硅层（4）进行刻蚀，在结终端区的P柱上方形成间隔的二氧化硅隔离区（14）；步骤四、利用外延工艺，在N+衬底（12）上外延一层3~10μm的N型外延层（11），并对硅基片进行平整化处理；步骤五、重复步骤二、步骤三和步骤四5~10次，最后高温推结形成一层厚度为30~40μm的P型N型外延层。