| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，其中，所述薄膜晶体管还包括上有源层、下有源层、上源极、下源极、上漏极和下漏极，所述上有源层和所述下有源层分别位于所述栅极的上下两侧，所述下源极与所述下漏极与所述下有源层相连，所述上源极和所述上漏极与所述上有源层相连。本实用新型还提供一种包括所述薄膜晶体管的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。利用该薄膜晶体管可以缩短对像素电极充电所需的时间，从而使得阵列基板可以具有较多的像素单元，进而提高显示装置的分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN203423188U | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201320509334.2 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 张家祥;郭建;姜晓辉 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括上有源层、下有源层、上源极、下源极、上漏极和下漏极，所述上有源层和所述下有源层分别位于所述栅极的上下两侧，所述下源极与所述下漏极与所述下有源层相连，所述上源极和所述上漏极与所述上有源层相连。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||