发明名称 差分闪存器件及提高差分闪存器件耐久性的方法
摘要 提供一种提高差分闪存器件耐久性的方法和差分闪存器件,该方法包括:读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流,所述第一阈值电压等于第一值,所述第二阈值电压等于第二值;确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态;如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态,则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程。
申请公布号 CN102005243B 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN200910194918.3 申请日期 2009.08.31
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 罗文哲;欧阳雄
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种提高差分闪存器件耐久性的方法,所述差分闪存器件包括第一闪存单元和第二闪存单元,在由所述第一闪存单元和第二闪存单元构成的差分闪存单元中存有一位数据,所述第一闪存单元包括与第一阈值电压关联的第一晶体管,所述第二闪存单元包括与第二阈值电压关联的第二晶体管,所述方法包括:读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流,所述第一阈值电压等于第一值,所述第二阈值电压等于第二值;确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态;如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态,则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程;所述编程包括下列步骤:将所述第一阈值电压从所述第一值改变成第三值;将所述第二阈值电压从所述第二值改变成第四值;读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第二电流;确定所述第二电流是否满足关于预定电流的预定关系;如果所述第二电流未满足关于所述预定电流的预定关系,则将所述第二阈值电压从第四值改变成第五值。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号