发明名称 半导体装置的制造方法及记忆媒体
摘要 本发明的课题是在于蚀刻形成于基板上的有机膜时,可取得良好的蚀刻形状。;其解决手段系进行:;藉由电浆来蚀刻含矽膜,而复制该膜上的图案光罩的图案之工程;除去上述图案光罩,而使上述含矽膜的表面露出之工程;利用电浆中的氧的活性种,经由上述含矽膜的图案来蚀刻上述有机膜的表面,形成凹部之工程;然后,溅射上述含矽膜,而于上述凹部的内壁面形成由含矽物所构成的保护膜之工程;及利用电浆中的氧的活性种,经由上述含矽膜的图案来将凹部更蚀刻于深度方向之工程,藉此可一边保护凹部的侧壁一边由氧的活性种来进行蚀刻,因此可取得良好的图案形状。
申请公布号 TWI425567 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW097131284 申请日期 2008.08.15
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 成重和树;长仓幸一
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本