| 摘要 |
本发明公开了一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体功率器件进一步包含在半导体衬底的漂移区域上的若干排传导形式相互交替的水准柱薄层，其每一个薄层的厚度确保当半导体功率器件导通时候可以击穿该薄层。在一个特定的实施方式中，该薄层的厚度满足电荷平衡公式：q*ND*WN=q*NA*WP和击穿条件WP<2*WD*[ND/(NA+ND)]，其中ND和WN代表N型层160的掺杂浓度和厚度，而NA和WP代表P型层的掺杂浓度和厚度；WD代表耗尽宽度；q代表电子电荷，可以相互抵消。该器件在击穿电压下达到接近理想矩形电场分布和类似锯齿的边缘(ridges)。在另外一个特定实施例中，半导体功率器件还包括一个金属氧化物场效应电晶体(MOSFET)。在另外一个特定实施例中，该半导体功率器件还包括一个;功率二极体。 |
