| 摘要 |
一种半极化氮化物的成长方法，首先于一矽基板上形成复数个间隔并排的凹槽，该凹槽各具有一第一壁面以及一第二壁面，该第一壁面与该矽基板之表面间夹一倾斜角度。接着，于该矽基板之表面、该第一壁面与该第二壁面上形成一缓冲层，位于该第一壁面上之该缓冲层具有复数成长区域及复数与该成长区域互补之非成长区域。之后，于该缓冲层上形成一露出该成长区域的覆盖层，最后，将一半极化氮化物成长于该成长区域，并覆盖该覆盖层。据此，本发明可减少半极化氮化物和矽基板之间因为热应力而产生的龟裂现象，进而提升半极化氮化物的薄膜品质。 |
