发明名称 奈米碳管线尖端之制备方法及场发射结构之制备方法
摘要 本发明涉及一种奈米碳管线尖端之制备方法,其包括:提供一奈米碳管线;以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦,及扫描速度小于200毫米/秒的雷射光烧断所述奈米碳管线,形成一锥形奈米碳管线尖端。本发明还提供一种场发射结构之制备方法。
申请公布号 TWI425553 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW100100546 申请日期 2011.01.07
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 柳鹏;周段亮;范守善
分类号 H01J9/02;B23K26/08 主分类号 H01J9/02
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号