发明名称 具隐藏更新及双埠能力之SRAM相容嵌入式DRAM装置
摘要 本发明提出本发明提出一种具隐藏更新及双埠能力之SRAM相容嵌入式DRAM装置。一记忆体阵列其包含多数个双埠记忆体细胞格。一第一埠存取单元连接至该记忆体阵列,以存取该记忆体阵列中的记忆体细胞格。一第二埠存取单元连接至该记忆体阵列,以存取该记忆体阵列中的记忆体细胞格。一存取仲裁器连接至该第一埠存取单元及该第二埠存取单元,以仲裁一第一存取埠存取要求、一第二存取埠存取要求、及一隐藏更新要求。
申请公布号 TWI425508 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW098113456 申请日期 2009.04.23
申请人 旭曜科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号4楼 发明人 王思闵
分类号 G11C11/413 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号4楼