发明名称 |
具隐藏更新及双埠能力之SRAM相容嵌入式DRAM装置 |
摘要 |
本发明提出本发明提出一种具隐藏更新及双埠能力之SRAM相容嵌入式DRAM装置。一记忆体阵列其包含多数个双埠记忆体细胞格。一第一埠存取单元连接至该记忆体阵列,以存取该记忆体阵列中的记忆体细胞格。一第二埠存取单元连接至该记忆体阵列,以存取该记忆体阵列中的记忆体细胞格。一存取仲裁器连接至该第一埠存取单元及该第二埠存取单元,以仲裁一第一存取埠存取要求、一第二存取埠存取要求、及一隐藏更新要求。 |
申请公布号 |
TWI425508 |
申请公布日期 |
2014.02.01 |
申请号 |
TW098113456 |
申请日期 |
2009.04.23 |
申请人 |
旭曜科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号4楼 |
发明人 |
王思闵 |
分类号 |
G11C11/413 |
主分类号 |
G11C11/413 |
代理机构 |
|
代理人 |
吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
主权项 |
|
地址 |
新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号4楼 |