发明名称 含有一耦合介电层及金属层之半导体装置,其制造方法及用于半导体装置之含有多个有机成分的被动耦合材料
摘要 一种用于在半导体装置中将介电层10钝化之材料20具有一分子结构,以允许或至少促进在一后续制程步骤中于该材料上之液相金属沈积30。所涵盖材料可由多个有机成分组成。亦涵盖一种包括一层该被动耦合材料之半导体装置及一种制造该半导体装置之方法。
申请公布号 TWI425571 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW096106197 申请日期 2007.02.16
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国;恩智浦股份有限公司 荷兰 发明人 杰诺斯 法卡斯;玛利亚 路易莎 卡沃 穆诺兹;瑟健 柯狄
分类号 H01L21/312;C08G77/04;C07F7/02 主分类号 H01L21/312
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 荷兰