发明名称 |
位元线的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种位元线的制造方法,包括于一基板中形成一沟槽;于上述沟槽的侧壁上顺应性形成一阻障层:于上述沟槽中形成一第一硬遮罩层,并覆盖部分上述阻障层;顺应性于上述沟槽中形成一阻挡层和一第二硬遮罩层,并暴露部分上述第一硬遮罩层和上述阻障层;移除未被上述阻挡层和上述第二硬遮罩层覆盖的部分上述阻障层;移除上述第二硬遮罩层;同时移除上述阻挡层和上述第一硬遮罩层,以暴露出部分上述沟槽的侧壁。 |
申请公布号 |
TWI425521 |
申请公布日期 |
2014.02.01 |
申请号 |
TW098146333 |
申请日期 |
2009.12.31 |
申请人 |
台湾创新记忆体股份有限公司 新竹市科学园区笃行一路8号 |
发明人 |
梁圣章;蔡健华;潘建勋;欧阳自明;张文壹;黄振南 |
分类号 |
G11C7/18 |
主分类号 |
G11C7/18 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市科学园区笃行一路8号 |