发明名称 位元线的制造方法
摘要 本发明提供一种位元线的制造方法,包括于一基板中形成一沟槽;于上述沟槽的侧壁上顺应性形成一阻障层:于上述沟槽中形成一第一硬遮罩层,并覆盖部分上述阻障层;顺应性于上述沟槽中形成一阻挡层和一第二硬遮罩层,并暴露部分上述第一硬遮罩层和上述阻障层;移除未被上述阻挡层和上述第二硬遮罩层覆盖的部分上述阻障层;移除上述第二硬遮罩层;同时移除上述阻挡层和上述第一硬遮罩层,以暴露出部分上述沟槽的侧壁。
申请公布号 TWI425521 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW098146333 申请日期 2009.12.31
申请人 台湾创新记忆体股份有限公司 新竹市科学园区笃行一路8号 发明人 梁圣章;蔡健华;潘建勋;欧阳自明;张文壹;黄振南
分类号 G11C7/18 主分类号 G11C7/18
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市科学园区笃行一路8号