发明名称 内外层不同成分之低电容积层型晶片变阻器
摘要 一种低电容积层型晶片变阻器,包含一陶瓷主体,其两端设有外电极,其内部设有内电极,且该陶瓷主体由内电极以内的内层陶瓷及内电极以外的外层陶瓷构成三明治结构,其中,内层陶瓷及外层陶瓷的玻璃成分及导体或半导体颗粒含量不同,利用内层陶瓷及外层陶瓷略为不同的玻璃成分及用量、利用不同的导体或半导体含量,可变更所述陶瓷主体的内层陶瓷及外层陶瓷的强度及导电性,并且可获得极佳特性的低电容晶片型变阻器。
申请公布号 TWI425531 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW098140442 申请日期 2009.11.26
申请人 立昌先进科技股份有限公司 桃园县龟山乡山莺路340巷6号 发明人 连清宏;朱颉安;郭政宗;林居南;黄兴光;章丽云;连伟成
分类号 H01C10/00;H01C7/20 主分类号 H01C10/00
代理机构 代理人 周业进 台北市大安区复兴南路2段236号11楼之3
主权项
地址 桃园县龟山乡山莺路340巷6号