发明名称 |
记忆体装置及其操作方法 |
摘要 |
一种读取记忆胞的第一资料储存区的方法。此方法包括施加第一位元线电压至记忆胞来检测记忆胞的第一电流。当第一电流大于关于第一位元线电压的第一参考电流时,判定第一资料储存区为未程式化状态。否则,施加第二位元线电压至记忆胞来检测记忆胞的第二电流。当第一电流与第二电流之间的差异大于第一参考电流与第二参考电流之间的差异时,判定第一资料储存区为未程式化状态。否则,判定第一资料储存区为程式化状态。 |
申请公布号 |
TWI425516 |
申请公布日期 |
2014.02.01 |
申请号 |
TW098115390 |
申请日期 |
2009.05.08 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
周聪乙;蔡龙兴 |
分类号 |
G11C16/26;G11C11/34 |
主分类号 |
G11C16/26 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |