| 摘要 |
根据一实施例，半导体发光装置包含第一导电型半导体层、发光层及第二导电型半导体层。该第一导电型层具有超晶格结构。在该超晶格结构中交替设有第一半导体层及第二半导体层。该等第一半导体层包含第一氮化物半导体，且该等第二半导体层包含第二氮化物半导体，该第二氮化物半导体之晶格常数大于该第一氮化物半导体之晶格常数。该发光层具有多量子井结构。在该多量子井结构中交替设有量子井层及障壁层。该等量子井层包含第三氮化物半导体，该第三氮化物半导体之晶格常数小于该第二氮化物半导体之晶格常数，且该等障壁层包含第四氮化物半导体，该第四氮化物半导体之晶格常数小于该第三氮化物半导体之晶格常数。该等量子井层中之至少一者具有等于该第三氮化物半导体之该晶格常数之晶格间距。 |
