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发明名称
垂直结构之紫外光发光二极体晶片及其制造方法
摘要
一种垂直结构之紫外光发光二极体晶片,其包括导电基板及依次堆叠于该导电基板之一个表面之P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层,导电基板与P型半导体层之间设置反射层,发光二极体晶片还包括光路转换层,该光路转换层位于该发光二极体晶片之电流扩散区域之外并藉由间隙与半导体激发层隔开,半导体激发层侧向发出之光线经过反射层之反射后射入该光路转换层内,该光路转换层对光线进行会聚。
申请公布号
TWI425663
申请公布日期
2014.02.01
申请号
TW099136824
申请日期
2010.10.28
申请人
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
发明人
凃博闵;黄世晟;杨顺贵;黄嘉宏
分类号
H01L33/20
主分类号
H01L33/20
代理机构
代理人
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
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