发明名称 画素结构及其制作方法
摘要 一种画素结构包括一基板、一闸极线、一闸极、一绝缘层、一半导体层、一资料线、一源极、一汲极、一平坦层以及一画素电极。闸极线以及闸极系设置于基板上,绝缘层系覆盖于基板之上,半导体层系设置于绝缘层上,资料线、源极以及汲极系设置于绝缘层与半导体层上,平坦层系设置于资料线、源极与汲极之上,画素电极系设置于平坦层上,平坦层具有一暴露出汲极之接触洞,且画素电极透过接触洞与汲极电性连接。画素电极包括一不透明主干电极设置于该平坦层上以及复数条透明分支电极,各透明分支电极之一端与不透明主干电极电性连接。
申请公布号 TWI425284 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW099120020 申请日期 2010.06.18
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 刘恩鸿;郑景升;石志鸿
分类号 G02F1/136;G02F1/1343 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号