在半导体晶片上超均匀沉积铜膜的方法

摘要

本发明揭示了应用于现有发明中描述的具有二个或二个以上电极电化学沈积设备中的方法。该方法可在具有厚度在50至900　范围内的大阻抗籽晶层的半导体晶片表面制出WFNU小于2.5%的均匀铜膜，其中采用的电解液为电导率为0.02至0.8S/cm的硫酸铜电解液。