Laterale Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Ein Verfahren erzeugt eine Halbleitervorrichtung, welche einen Halbleiterkörper (40), eine sich darauf befindende Elektrode (13) und eine isolierende Struktur (9), welche die Elektrode (13) vom Halbleiterkörper (40) isoliert, aufweist. Der Halbleiterkörper (40) umfasst ein erstes Kontaktgebiet (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Bodygebiet (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, ein Driftgebiet (3) des ersten Leitfähigkeitstyps und ein zweites Kontaktgebiet mit einer höheren maximalen Dotierungskonzentration als das Driftgebiet (3). Die isolierende Struktur (9) weist einen Gatedielektrikumabschnitt (9a) auf, der eine erste horizontale Grenzfläche (91) mit dem Driftgebiet (3) bildet und eine erste maximale vertikale Ausdehnung (d1) aufweist. Ein Felddielektrikumabschnitt (9b) bildet mit dem Driftgebiet (3) eine zweite und eine dritte horizontale Grenzfläche (93), die unter der Hauptfläche (101) angeordnet sind. Eine zweite maximale vertikale Ausdehnung (d2) des Felddielektrikumabschnitts (9b) ist größer als die erste maximale vertikale Ausdehnung (d1). Eine dritte maximale vertikale Ausdehnung des Felddielektrikumabschnitts (9b) ist größer als die zweite maximale vertikale Ausdehnung (d2).