Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiter-Schaltkreises

摘要

Es wird ein Verfahren zu Herstellung eines integrierten Halbleiter-Schaltkreises (IC) offenbart. Das Verfahren umfasst das Erhalten einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst auch das Ausbilden einer Stufen-Bildenden-Hartmaske (SFHM) auf einem MG-Stapel in einem vorbestimmten Bereich auf dem Halbleitersubstrat, das Ausführen einer MG-Vertiefung, das Ablagern einer MG-Hartmaske auf dem Halbleitersubstrat und das Vertiefen der MG-Hartmaske, um die MG-Hartmaske in dem vorbestimmten Bereich vollständig von dem MG-Stapel zu entfernen.